IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), կազմված է MOS (մեկուսացված դարպասի դաշտային էֆեկտի տրանզիստոր) և BJT (երկբևեռ տրանզիստոր) կողմից: Այն լարման վրա հիմնված ուժային կիսահաղորդչային սարք է։ IGBT-ն կարող է լինել առանձին դիսկրետ սարք կամ մոդուլ, որոնցից յուրաքանչյուրն ունի իր կիրառական շարքը: Արդյունաբերության մեջ այն օգտագործվում է երթևեկության վերահսկման, էներգիայի փոխակերպման, արդյունաբերական շարժիչների, UPS-ի անխափան սնուցման, հողմատուրբինային էներգիայի և արևային էներգիայի սարքավորումների, հաճախականության փոխարկիչի և այլնի մեջ: , էլեկտրական գործիքներ և այլն։