Արագ վերականգնման դիոդի ներքին կառուցվածքը տարբերվում է սովորական PN միացման դիոդից, որը պատկանում է PIN միացման դիոդին, այսինքն՝ I բազային շրջանը ավելացվում է P-տիպի սիլիկոնային նյութի և N-տիպի սիլիցիումի նյութի մեջտեղում՝ PIN-ի ձևավորման համար։ սիլիկոնային վաֆլի: Քանի որ բազային շրջանը շատ բարակ է, հակադարձ վերականգնման լիցքը շատ փոքր է, ուստի արագ վերականգնման դիոդի հակադարձ վերականգնման ժամանակն ավելի կարճ է, առաջ լարման անկումը ավելի ցածր է, և հակադարձ խզման լարումը (դիմակայել լարման արժեքին) ավելի բարձր է: